На ФРТиМТ пройдет семинар «Технология получения широкозонных полупроводниковых материалов»

Завтра, 23 сентября, на факультете радиоэлектроники, телекоммуникаций и мультимедийных технологий ДГТУ состоится научно-технический семинар «Технология получения широкозонных  полупроводниковых материалов».

Семинар пройдет по адресу: г. Махачкала, пр. И. Шамиля, 70 «а», ФГБОУ ВПО «ДГТУ», УЛК-2, факультет радиоэлектроники, телекоммуникаций и мультимедийных технологий, аудитория № 405. Начало мероприятия -  в 14 00.

В рамках работы семинара планируется заслушать и обсудить доклады: «Получение тонких монокристаллических пленок нитрида алюминия на подложках пористого кремния» (профессор кафедры микроэлектроники Билалов Б.А., аспирант кафедры микроэлектроники Ахмедов А.С.), «Разработка технологии получения высокофоточувствительных материалов  на основе соединений A^IIB^VI. » (профессор кафедры микроэлектроники Билалов Б.А., магистрант кафедры экспериментальной физики Билалов А.Б.), «Разработка технологии формирования керамических  материалов нового поколения на основе карбида кремния и нитрида алюминия» (ст. преподаватель кафедры физики Гусейнов М.К., студент 4 курса ФРТиМТ Амаханов И.), «Разработка технологии эпитаксии пленок нитрида алюминия  на  сапфире ионно-плазменным методом, с использованием   буферных переходных слоев нитрида алюминия» (профессор кафедры микроэлектроники Билалов Б.А., студент 1 курса ФРТиМТ Алиханов Ш.), «Выращивание твердого раствора карбида кремния и нитридом алюминия методом магнетронного распыления» (профессор кафедры микроэлектроники Билалов Б.А., ст. преподаватель кафедры физики Гусейнов М.К.).

Приглашаем студентов, аспирантов, преподавателей, всех специалистов отрасли и заинтересованных в обмене передовыми научными знаниями исследователей принять участие в работе семинара.