Семинар по микроэлектронике состоялся на ФРТиМТ

23 сентября на факультете радиоэлектроники, телекоммуникаций и мультимедийных технологий ДГТУ прошел семинар для молодых ученых, занимающихся изучением полупроводниковых материалов.

Перед собравшимися студентами и аспирантами ДГТУ, а также магистрами ДГУ, работающими в данном научном направлении, выступили  профессор кафедры микроэлектроники Билалов Б.А., ст. преподаватель кафедры физики Гусейнов М.К., аспирант кафедры микроэлектроники ДГТУ Ахмедов А.С., магистрант кафедры экспериментальной физики ДГУ Билалов А.Б., а также студенты ФРТиМТ Алиханов Ш. и Амаханов И.

Все прозвучавшие доклады отличались научной новизной представленных исследований в области получения высокофоточувствительных материалов  на основе соединений A^IIB^VI., разработкам технологии формирования керамических  материалов нового поколения на основе карбида кремния и нитрида алюминия, технологии эпитаксии пленок нитрида алюминия  на  сапфире ионно-плазменным методом, с использованием   буферных переходных слоев нитрида алюминия, а также  выращиванию твердого раствора карбида кремния и нитридом алюминия методом магнетронного распыления и сопровождались содержательными презентациями.

После выступлений участников семинара между присутствующими  преподавателями, аспирантами, магистрантами и студентами состоялся оживленный  обмен мнениями.