Категория: В центре внимания
Высокая оценка научного вклада
Президент Дагестана Р.Г.Абдулатипов вручил Государственную премию РД в области техники доценту ДГТУ А.Р.Шахмаевой за научную работу «Разработка технологии изготовления и создание транзисторных структур для силовой электроники».
Торжественная церемония награждения Лауреатов Государственной премии состоялась сразу по открытию республиканского «Дома Дружбы», который отныне станет еще одним символом единства и вековой дружбы многонационального российского народа.
«Люди, которых мы сегодня награждаем – на самом деле выдающиеся люди, достигшие огромных успехов в своем творчестве, художественном отображении самых лучших проявлений дагестанской жизни, самых перспективных направлений развития Дагестана. Для нас это очень важно. Высокие награды являются подлинным признанием ваших заслуг перед республикой и страной», - отметил Президент РД Р.Г.Абдулатипов в своем выступлении перед участниками торжественного мероприятия. От имени всего дагестанского народа Глава республики поздравил лауреатов с наградами и пожелал им дальнейших творческих успехов.
Переходя к вручению Диплома Лауреата и медали кандидату технических наук, доценту Дагестанского государственного технического университета А.Р.Шахмаевой, Президент РД сказал: «Особую роль в жизни дагестанского общества играет семья, традиции. Мы пытаемся возродить многие созидательные семейные традиции, думаю, мы идем правильным путем. Впервые Государственной премии Республики Дагестан в области техники удостаивается женщина - горянка, доцент Дагестанского государственного технического университета. За свои изобретения Айшат Расуловна получила более 30 патентов. А сегодня - Государственную премию за цикл работ «Разработка технологии изготовления и создание транзисторных структур для силовой электроники».
Отметим, что работа А.Р.Шахмаевой, выполненная на кафедре теоретической и общей электротехники, посвящена исследованию и разработке конструктивных и технологических решений создания биполярных со статической индукцией транзисторов (БСИТ), применяемых в силовой электронике, которые обладают более надежными параметрами по сравнению с отечественными и зарубежными аналогами.
Ею предложена новая технология формирования структуры БСИТ-транзистора с самосовмещенным затвором, которая экономически привлекательна, так как позволяет сокращение ряда технологических циклов и обеспечивает получение надежных эксплуатационных характеристик.
Применяют такие транзисторы в народном хозяйстве, в частности, в телевизионных устройствах нового поколения, электроэнергетических системах, пусковой аппаратуре, в автомобилестроении и др.
Полученные результаты исследования нашли практическое применение на предприятиях полупроводникового производства, занимающихся производством транзисторных структур: «ФЗМТ» (г. Фрязино), ОАО «ЭПЛ» (г.Москва) и др. Внедрение научных результатов в производство существенно увеличило процент выхода годных выпускаемых изделий.
Завершая церемонию награждения, Глава Дагестана подчеркнул: «Люди, которых мы сегодня наградили, - это люди творческие, неравнодушные, которые каждый в своей сфере достигают качественно нового уровня. То, что всегда было свойственно дагестанцам, то, в чем сегодня мы все нуждаемся. Все эти люди – профессионалы очень высокого уровня. И самое главное, эти люди очень культурные. Раз есть такие люди в республике, значит, те преобразования, которые мы сегодня осуществляем в Дагестане, будут иметь успех. А для этого надо ежедневно творчески работать. Другого выхода у нас нет. У нас талантливый народ, прекрасное прошлое и великое будущее».